STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 90 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-8521
- Herst. Teile-Nr.:
- STP6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 188-8521
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- STP6N95K5
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der MDmesh ® K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine Produktstatusverbindung erfordern, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordert.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
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