STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 151-421
- Herst. Teile-Nr.:
- STF6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.50
Auf Lager
- 995 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.2.10 | CHF.10.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-421
- Herst. Teile-Nr.:
- STF6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des On-Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Branchenweit niedrigster RDS(on) x Fläche
Branchenweit bestes FoM
Extrem niedrige Gate-Ladung
100% Avalanche-getestet
Zener-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 25 W, 3-Pin STF6N95K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A, 3-Pin STD6N95K5 TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A, 3-Pin STP12NM50FP TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1500 V / 7 A 250 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 6 A 130 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1500 V / 7 A 250 W, 3-Pin STW12N150K5 TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 6 A 130 W, 3-Pin STW8N120K5 TO-247