STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 151-419
- Herst. Teile-Nr.:
- STF6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 151-419
- Herst. Teile-Nr.:
- STF6N95K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des On-Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Branchenweit niedrigster RDS(on) x Fläche
Branchenweit bestes FoM
Extrem niedrige Gate-Ladung
100% Avalanche-getestet
Zener-geschützt
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