STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 21 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 151-409
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NM50FP
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 151-409
- Herst. Teile-Nr.:
- STP12NM50FP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 30.6mm | |
| Länge | 15.85mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 30.6mm | ||
Länge 15.85mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh-Technologie entwickelt, die den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen PowerMESH-Layout des Unternehmens verbindet. Diese Bauelemente bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, ein hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften. Durch die Verwendung der ST-eigenen Strip-Technik weisen diese Power-MOSFETs eine dynamische Gesamtleistung auf, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.
100% Avalanche getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
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