STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 761-2751
- Herst. Teile-Nr.:
- STF13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 761-2751
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal 600 V, 280 mOhm typisch, 11 A MDmesh II Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse
Bei diesen Bauelementen handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit dem Streifen-Layout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Werte bei On-Widerstand und Gate-Ladung zu erzielen. Sie eignen sich daher auch für die anspruchsvollsten Hocheffizienz-Wandler.
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