STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
761-2751
Herst. Teile-Nr.:
STF13NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 600 V, 280 mOhm typisch, 11 A MDmesh II Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse


Bei diesen Bauelementen handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit dem Streifen-Layout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Werte bei On-Widerstand und Gate-Ladung zu erzielen. Sie eignen sich daher auch für die anspruchsvollsten Hocheffizienz-Wandler.

Alle Funktionen


  • 100 % Avalanche-getestet

  • Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

  • Niedriger Gate-Eingangswiderstand

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