onsemi NTMJS0D9N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 189-0485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJS0D9N04CLTWG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.15.405
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.081 | CHF 15.39 |
| 50 - 95 | CHF 2.656 | CHF 13.27 |
| 100 + | CHF 2.303 | CHF 11.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 189-0485
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJS0D9N04CLTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | NTMJS0D9N04CL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 143nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie NTMJS0D9N04CL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 143nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Industrieller Leistungs-MOSFET in einem 5 x 6 mm LFPAK-Gehäuse, entwickelt für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung.
Verwandte Links
- onsemi NTMJS0D9N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D6N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK
- Nexperia MOSFETs Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 330 A 375 W, 5-Pin LFPAK
- Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 330 A 268 W, 5-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 300 A 166 W, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS025N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 24 W, 4-Pin LFPAK