onsemi NTMJS1D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 300 A 166 W, 8-Pin LFPAK

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Herst. Teile-Nr.:
NTMJS1D0N04CTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NTMJS1D0N04C

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

920μΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Höhe

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK-E-Gehäuse, Industriestandard

Diese Geräte sind bleifrei

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