Wolfspeed C3M N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 30 A 113.6 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 192-3375
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120K
- Marke:
- Wolfspeed
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 437.52
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 14.584 | CHF 437.50 |
*Richtpreis
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- 192-3375
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120K
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | C3M | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, 19V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie C3M | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, 19V | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 23.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung Advanced SiC MOSFET-Technologie in neuer diskreter Verpackung mit niedriger Induktivität. Die neu eingeführten Gehäuse ermöglichen es Ingenieuren, die Hochfrequenzfähigkeit der neuesten planaren C3MTM-MOSFET-Chips voll zu nutzen. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC-Wandler und -Ladegeräte geeignet.
Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
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