Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 113.6 W, 3-Pin C3M0075120D TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 192-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.474.39
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|---|---|---|
| 30 + | CHF.15.813 | CHF.474.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | C3M | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie C3M | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung der Advanced SiC MOSFET-Technologie. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie Wechselrichter- und Ladeanwendungen geeignet. Laden Sie unsere LSpice-Modelle herunter, um get started zu werden, oder klicken Sie hier, um weitere Informationen zu erhalten.
Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben