Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 113.6 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 192-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.15.813 | CHF.474.39 |
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- RS Best.-Nr.:
- 192-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | C3M | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie C3M | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung der Advanced SiC MOSFET-Technologie. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie Wechselrichter- und Ladeanwendungen geeignet. Laden Sie unsere LSpice-Modelle herunter, um get started zu werden, oder klicken Sie hier, um weitere Informationen zu erhalten.
Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
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