Wolfspeed C3M0120090J N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 22 A 83 W, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 192-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120090J
- Marke:
- Wolfspeed
Alle MOSFET anzeigen
600 Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
CHF.10.175
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 + | CHF.10.175 | CHF.508.725 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 192-3378
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0120090J
- Marke:
- Wolfspeed
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsgerätetechnologie vor: Die branchenweit erste 900-V-MOSFET-Plattform. Die neue 900-V-Plattform wurde für Hochfrequenz-Leistungselektronikanwendungen wie Wechselrichter für erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und dreiphasige industrielle Netzteile optimiert und ermöglicht kleinere und effizientere Stromwandlungssysteme der nächsten Generation zu gleichen Kosten wie siliziumbasierte Lösungen.
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringen Kapazitäten
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringen Kapazitäten
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 22 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
| Gehäusegröße | TO-263-7 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
| Verlustleistung max. | 83 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, 18 V |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Länge | 10.23mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.12mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17,3 nC @ 4/15 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 4.57mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |