Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 915-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065090J
- Marke:
- Wolfspeed
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.15.69 |
| 10 - 24 | CHF.14.09 |
| 25 - 49 | CHF.13.69 |
| 50 - 99 | CHF.13.37 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 915-8830
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065090J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Serie | C3M | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 78mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Halogen Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Serie C3M | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 78mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Halogen Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
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