onsemi BSS138 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 220 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
BSS138
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

220mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

BSS138

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Höhe

0.93mm

Länge

2.92mm

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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