Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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| 3000 - 3000 | CHF 0.061 | CHF 184.83 |
| 6000 - 12000 | CHF 0.061 | CHF 175.74 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-7472
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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