Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
826-9954
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-425
Herst. Teile-Nr.:
BSS138NH6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Höhe

1mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 60 V im SOT23-Gehäuse


Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Small-Signal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in bekannten Industriestandardgehäusen erfüllen und übertreffen. Dank ihrer unübertroffenen Zuverlässigkeit und Fertigungskapazität eignen sich diese Komponenten ideal für eine Vielzahl von Anwendungen wie LED-Beleuchtung, ADAS, Karosseriesteuergeräte, SMPS und Motorsteuerung.

Zusammenfassung der Funktionen


•Erweiterungsmodus

•Logischer Pegel

•Avalanche bewertet

•Schnelles Umschalten

•Dv/dt bewertet

•Pb-freie Verbleiung

•RoHS-konform, halogenfrei

•Qualifiziert nach Automobilstandards

•PPAP-fähig

Vorteile


•Niedriger RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Lebensdauer der Batterie

•Kleine Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte

•Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Mögliche Anwendungen


•Automobilindustrie

•Beleuchtung

•Batterie-Management

•Lastschalter

•DC-DC

•eMobilität

•Motorsteuerung

•Onboard-Ladegerät

•Telekommunikation

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