Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5867
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS131H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.252.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.084 | CHF.248.85 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.084 | CHF.236.25 |
| 15000 + | CHF.0.074 | CHF.220.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-5867
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS131H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS138NH6433XTMA1 SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS138NH6327XTSA2 SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin BSS84PH6327XTSA2 SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin BSS83PH6327XTSA1 SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS159NH6327XTSA2 SOT-23