Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 827-0070
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-424
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS131H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 250 - 250 | CHF 0.263 | CHF 65.65 |
| 500 - 1000 | CHF 0.141 | CHF 34.85 |
| 1250 - 2250 | CHF 0.131 | CHF 32.83 |
| 2500 - 6000 | CHF 0.121 | CHF 30.30 |
| 6250 + | CHF 0.111 | CHF 28.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0070
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-424
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS131H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 240 V maximale Drain-Source-Spannung, 110 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS131H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in kompakter Elektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und ist für Anwendungen konzipiert, die eine kontrollierte Drain-Source-Leitung mit moderater Dauerstrombelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 240 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 110 mA kontinuierliche Ablassfähigkeit unterstützt niedrige Stromlasten
• 20 V Gate-Source-Grenzwert schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
• 20 Ω maximaler RDS(on) vereinfacht das Wärmemanagement bei geringen Strömen
• Die typische Gate-Ladung von 2,1 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• 360 mW Verlustleistung für kleine Formfaktor-Thermische Budgets
• 110 mA kontinuierliche Ablassfähigkeit unterstützt niedrige Stromlasten
• 20 V Gate-Source-Grenzwert schützt vor übermäßiger Gate-Spannung
• 20 Ω maximaler RDS(on) vereinfacht das Wärmemanagement bei geringen Strömen
• Die typische Gate-Ladung von 2,1 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• 360 mW Verlustleistung für kleine Formfaktor-Thermische Budgets
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten von Sensoren in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Batteriemanagement-Steuerschaltkreise
• Wird für Schwachstrom-Motor-Treiber-Gate-Stufen verwendet
• Kann für Pegelverschiebungs- und Schutzfunktionen verwendet werden
• Wird mit tragbaren und tragbaren Instrumenten verwendet
• Ideal für Batteriemanagement-Steuerschaltkreise
• Wird für Schwachstrom-Motor-Treiber-Gate-Stufen verwendet
• Kann für Pegelverschiebungs- und Schutzfunktionen verwendet werden
• Wird mit tragbaren und tragbaren Instrumenten verwendet
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist, um automatisierten Lötprozessen gerecht zu werden.
Welchen Umgebungsbedingungen kann es während des Betriebs standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, um breite thermische Exkursionen zu unterstützen.
Wie kompakt ist das Gerät für platzbeschränkte Designs?
Die Grundfläche des Gehäuses misst 2,9 mm in der Länge und 1,3 mm in der Breite, während die Bauteilhöhe 1,0 mm für Anwendungen mit engen Layouts beträgt.
Erfüllt es eine Kfz-Qualifizierungsnorm für den Einsatz in Fahrzeugen?
Er entspricht der Automobilnorm AEC-Q101 für die Belastungsschirmung von Halbleitern.
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