Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

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Herst. Teile-Nr.:
BSS87H6327FTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.5mm

Breite

2.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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