Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

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Herst. Teile-Nr.:
BSS192PH6327FTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.5 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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