Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 753-2848
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192PH6327FTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.2.93
Auf Lager
- 760 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 0.293 | CHF 2.91 |
| 100 - 240 | CHF 0.273 | CHF 2.77 |
| 250 - 490 | CHF 0.273 | CHF 2.71 |
| 500 - 990 | CHF 0.253 | CHF 2.53 |
| 1000 + | CHF 0.232 | CHF 2.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 753-2848
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS192PH6327FTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 190 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS192PH6327FTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Gerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert als Enhancement-Mode-Transistor, der sich für Anwendungen eignet, die eine kontrollierte Hochspannungsschaltung und eine geringe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich für den Einsatz in geregelten Systemen und Kfz-Elektronik.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 250 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 190 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt die Steuerung von Niederstromlasten
• 20 Ω maximaler Rds reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• Die typische Gate-Ladung von 4,9 nC bei Vgs gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht einfache Gate-Treiber-Designs
• Maximale Verlustleistung von 1 W bewältigt thermische Einschränkungen in kompakten Layouts
• 190 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt die Steuerung von Niederstromlasten
• 20 Ω maximaler Rds reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen
• Die typische Gate-Ladung von 4,9 nC bei Vgs gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht einfache Gate-Treiber-Designs
• Maximale Verlustleistung von 1 W bewältigt thermische Einschränkungen in kompakten Layouts
Anwendungsbereiche
• Geeignet für das Schalten von Kfz-Sensoren
• Ideal für Verpolungsschutzschaltungen mit geringem Stromverbrauch
• Verwendung mit Hochspannungs-Batteriemanagementsystemen
• Kann zum Austausch kleiner Relais in Steuermodulen verwendet werden
• Geeignet für die oberflächenmontierte Stromverteilung auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Verpolungsschutzschaltungen mit geringem Stromverbrauch
• Verwendung mit Hochspannungs-Batteriemanagementsystemen
• Kann zum Austausch kleiner Relais in Steuermodulen verwendet werden
• Geeignet für die oberflächenmontierte Stromverteilung auf kompakten Leiterplatten
Welchen Temperaturbereich verträgt er unter rauen Bedingungen?
Er arbeitet zuverlässig von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Umgebungen mit erweiterten Temperaturen.
Wie viele Pins bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?
Die Komponente wird mit drei Pins geliefert, was ein Standard-SOT‐89-Footprint-Routing ermöglicht.
Welche Gehäusetypen sollten Entwickler bei der Montage erwarten?
Es wird in einem SOT‐89-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das auf kompakte Leiterplatten zugeschnitten ist.
Ist das Gerät für Qualifizierungsstandards in der Automobilindustrie qualifiziert?
Er entspricht AEC-Q101 und erfüllt die Stresssicherung für den Einsatz im Automobilbereich.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 10.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
