Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin BSS127H6327XTSA2 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
BSS127H6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.65nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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