onsemi 2N7000 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin 2N7000 TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 671-4733
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.6.72
Auf Lager
- Zusätzlich 580 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Zusätzlich 2’820 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.336 | CHF.6.62 |
| 200 - 480 | CHF.0.284 | CHF.5.71 |
| 500 - 980 | CHF.0.252 | CHF.4.94 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.221 | CHF.4.35 |
| 2000 + | CHF.0.20 | CHF.3.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4733
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.88V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-43-722 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.88V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.19 mm | ||
Distrelec Product Id 304-43-722 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.