Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 229-1742
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5410TRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 2.677 | CHF 13.37 |
| 25 - 45 | CHF 2.353 | CHF 11.77 |
| 50 - 120 | CHF 2.222 | CHF 11.10 |
| 125 - 245 | CHF 2.06 | CHF 10.29 |
| 250 + | CHF 1.899 | CHF 9.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1742
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5410TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | AUIRF | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 205mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.73mm | |
| Länge | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie AUIRF | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 205mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.73mm | ||
Länge 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon-P-Kanal-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Es ist bleifrei
Er ist RoHS-konform
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