Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 229-1742
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5410TRL
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.969 | CHF.14.85 |
| 25 - 45 | CHF.2.616 | CHF.13.07 |
| 50 - 120 | CHF.2.464 | CHF.12.32 |
| 125 - 245 | CHF.2.283 | CHF.11.43 |
| 250 + | CHF.2.111 | CHF.10.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1742
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5410TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | AUIRF | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 205mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.73 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie AUIRF | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 205mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.73 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon-P-Kanal-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Es ist bleifrei
Er ist RoHS-konform
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