Infineon AUIRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
229-1741
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR5410TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

AUIRF

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

205mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Verlustleistung Pd

66W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.22mm

Breite

6.73 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-P-Kanal-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Es ist bleifrei

Er ist RoHS-konform

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