STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.7.361 | CHF.14.72 |
| 10 - 18 | CHF.6.92 | CHF.13.84 |
| 20 - 48 | CHF.6.531 | CHF.13.06 |
| 50 - 98 | CHF.6.195 | CHF.12.39 |
| 100 + | CHF.5.88 | CHF.11.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
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