STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin STB42N65M5 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
STB42N65M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

79mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.75mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Breite

10.4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics


Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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