STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 687-5201
- Herst. Teile-Nr.:
- STP42N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.8.537
Auf Lager
- 48 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.8.54 |
| 5 - 9 | CHF.8.11 |
| 10 - 24 | CHF.7.31 |
| 25 - 49 | CHF.7.05 |
| 50 + | CHF.6.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5201
- Herst. Teile-Nr.:
- STP42N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 79mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 79mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin STW42N65M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin STB42N65M5 TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MDmesh V Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W,
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin STW28N60DM2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin STW33N60M2