STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.66.56
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 18 | CHF.6.656 |
| 20 - 48 | CHF.6.282 |
| 50 - 98 | CHF.5.959 |
| 100 + | CHF.5.656 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen