STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
STB45N30M5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.04Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.37mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

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