onsemi NTMYS2D4N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
195-2510
Herst. Teile-Nr.:
NTMYS2D4N04CTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

138A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NTMYS2D4N04C

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4.25 mm

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

Diese Geräte sind bleifrei

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