onsemi NVMYS7D3N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 52 A 38 W, 4-Pin LFPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.1’104.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.368CHF.1’093.05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
195-2536
Herst. Teile-Nr.:
NVMYS7D3N04CLTWG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMYS7D3N04CL

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.15mm

Länge

5mm

Breite

4.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlust

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

Verwandte Links