STMicroelectronics Mdmesh M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 190 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 201-4499
- Herst. Teile-Nr.:
- STL47N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.7.109 | CHF.14.22 |
| 50 - 98 | CHF.5.334 | CHF.10.67 |
| 100 - 248 | CHF.4.872 | CHF.9.74 |
| 250 - 998 | CHF.4.746 | CHF.9.49 |
| 1000 + | CHF.4.61 | CHF.9.22 |
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- RS Best.-Nr.:
- 201-4499
- Herst. Teile-Nr.:
- STL47N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 8.1mm | ||
Breite 0.95 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal 600 V, 70 mO typ., 31 A MDmesh M6 Leistungs-MOSFET in einem PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse hat eine ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberquellen-Pins.
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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