STMicroelectronics STF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 600 V / 15 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 202-4782
- Herst. Teile-Nr.:
- STF22N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stange(n) | Pro Stange | Pro Stück* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | CHF.84.61 | CHF.1.691 |
| 2 - 4 | CHF.82.33 | CHF.1.649 |
| 5 - 9 | CHF.80.16 | CHF.1.607 |
| 10 - 19 | CHF.78.11 | CHF.1.565 |
| 20 + | CHF.76.16 | CHF.1.523 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-4782
- Herst. Teile-Nr.:
- STF22N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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