STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 62 A 390 W, 4-Pin TO-247

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STW70N60DM6-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

ST

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

99nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

41.2mm

Breite

5.1 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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