STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 30 A 40 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 202-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- STF36N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 20 + | CHF.4.526 | CHF.9.05 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- STF36N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | ST | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Höhe | 30.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie ST | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Höhe 30.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neue M6-Technologie STMicroelectronics MDmesh TM umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut mit seiner neuen M6-Technologie auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf.
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
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Zenerdioden-geschützt
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