STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5546
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.293.91
Auf Lager
- 420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.9.797 | CHF.293.79 |
| 120 - 240 | CHF.9.524 | CHF.285.85 |
| 270 - 570 | CHF.9.272 | CHF.278.22 |
| 600 - 1170 | CHF.9.04 | CHF.271.19 |
| 1200 + | CHF.8.817 | CHF.264.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5546
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | ST | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.036Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 450W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie ST | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.036Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 450W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 41.2mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 52 A 330 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 62 A 390 W, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 39 A 250 W, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT