STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5549P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF 8.72 |
| 100 - 599 | CHF 8.52 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5549P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | ST | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.036Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 450W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie ST | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.036Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 450W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 41.2mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt