onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 119 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5747
Herst. Teile-Nr.:
NVHL160N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

NVH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Höhe

20.25mm

Länge

15.87mm

Breite

4.82 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, TO247-3L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 160 m?, TO247-3L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

100 % UIL-geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

RoHS-konform

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