onsemi NVH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 119 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5746
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL160N120SC1
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*
CHF.2’277.45
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 + | CHF.5.061 | CHF.2’275.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5746
- Herst. Teile-Nr.:
- NVHL160N120SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NVH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 119W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.25mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NVH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 119W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.25mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 160 mΩ, 1200 V, M1, TO247-3L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 160 m?, TO247-3L
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 17 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.
AEC Q101-zertifiziert
100 % UIL-geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
RoHS-konform