Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 204-7229P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 204-7229P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 800 V, maximale Verlustleistung 62,5 W – SIHU5N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für anspruchsvolle industrielle Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor und ist für die Durchsteckmontage in einem IPAK-Gehäuse vorgesehen. Die Komponente unterstützt Umgebungen mit erhöhten Temperaturen und bietet einen klaren Gate-Antriebsbereich für ein robustes Schaltverhalten in Stromversorgungssystemen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastleitung
• Niedrige Rds(on) von 1,35 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• 16.5 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Design
• Maximale Verlustleistung von 62.5 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Die maximale Gate-Source-Spannung von 30 V gewährleistet die Gate-Isolationsspanne
• 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastleitung
• Niedrige Rds(on) von 1,35 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• 16.5 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Design
• Maximale Verlustleistung von 62.5 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Die maximale Gate-Source-Spannung von 30 V gewährleistet die Gate-Isolationsspanne
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltfunktionen
• Ideal für industrielle Motor-Front-End-Frequenzumrichter
• Einsatz mit Aufwärtswandlern in Leistungsfaktor-Schaltkreisen
• Kann für Hochspannungsrelais-Ersatzkonstruktionen verwendet werden
• Einsatz im Energiemanagement und im Stromversorgungsschutz
• Ideal für industrielle Motor-Front-End-Frequenzumrichter
• Einsatz mit Aufwärtswandlern in Leistungsfaktor-Schaltkreisen
• Kann für Hochspannungsrelais-Ersatzkonstruktionen verwendet werden
• Einsatz im Energiemanagement und im Stromversorgungsschutz
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Das Gerät wird in IPAK-Form geliefert und ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, um die Wärmeleitung zu Kühlkörpern zu erleichtern.
Welche Durchlassspannungscharakteristik wirkt sich auf die Leitfähigkeit bei moderaten Strömen aus?
Die Komponente weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, was bei der Beurteilung der Leitungskraft der Gehäusediode und der Verluste bei Rückwärtserholung relevant ist.
Ist das Produkt für Anwendungen mit RoHS-Anforderungen geeignet?
Es entspricht den RoHS-Normen und ermöglicht den Einsatz, wenn die Einhaltung von eingeschränkten Stoffen erforderlich ist.