Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK

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204-7229P
Herst. Teile-Nr.:
SIHU5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

E

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.22mm

Breite

2.39mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 4,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHU5N80AE-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es wird in einem durchkontaktierten IPAK-Gehäuse geliefert, das für die robuste Leiterplattenmontage und die einfache Installation in Steuer- und Stromversorgungsbaugruppen ausgelegt ist. Das Gerät eignet sich, wenn eine hohe Drain-Source-Spannungskapazität und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 800 V Vds-Nennwert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 4,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Lastübertragung • 1,35 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 62,5 W unterstützt eine anhaltende thermische Belastung • 16,5 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebe-Frontenden • Wird für die Schaltung auf der Netzseite in Beleuchtungssteuerungen verwendet • Kann für Snubber- oder Klemmschaltungen in Leistungsmodulen verwendet werden • Geeignet für Prototyping und Reparatur in Durchsteckmontagen

Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich für einen sicheren Betrieb anwenden?


Das Gerät nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf

Designs verwenden in der Regel Gate-Antriebsstufen, die mit diesem Maximum kompatibel sind, um Gate-Überlastungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?


Eine Gate-Ladung von 16,5 nC am Nenn-Gate-Antrieb bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltverluste

wählen Sie einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit liefern kann.

Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?


Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C, sodass das Wärmemanagement und die Überlegungen zur Verbindung zur Umgebung bei erhöhten Temperaturen wichtig bleiben.

Welche Montageart ist auf der Leiterplatte erforderlich?


Es handelt sich um eine Durchsteckkomponente in einem IPAK-Gehäuse, daher müssen die Designs geeignete Bohrungen und Lötpads für mechanische Stabilität und Wärmeübertragung enthalten.

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