Vishay Doppelt SQJ264EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 54 A 48 W, 6-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7238
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- 204-7238
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SQJ264EP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.37 mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SQJ264EP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.37 mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die zweifach-N-Kanal-MOSFETs Vishay Automotive 60 V (D-S) 175 °C sind für synchrone Abwärtsanwendungen optimiert. Es ist AEC-Q101-zertifiziert.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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