Vishay Doppelt SQJ264EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 54 A 48 W, 6-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7238
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.31.52
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | CHF 1.576 | CHF 31.57 |
| 40 - 80 | CHF 1.263 | CHF 25.27 |
| 100 - 180 | CHF 1.111 | CHF 22.12 |
| 200 - 480 | CHF 0.919 | CHF 18.30 |
| 500 + | CHF 0.848 | CHF 17.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7238
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJ264EP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Breite | 4.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJ264EP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Breite 4.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die zweifach-N-Kanal-MOSFETs Vishay Automotive 60 V (D-S) 175 °C sind für synchrone Abwärtsanwendungen optimiert. Es ist AEC-Q101-zertifiziert.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Verwandte Links
- Vishay Doppelt SQJ264EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 54 A 48 W, 6-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 48 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7 A 4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 850 mA 1.5 W, 6-Pin US
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 27 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQS178EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 72 V / 54 A 65 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212