Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 850 mA 1.5 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
188-4911
Herst. Teile-Nr.:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

850mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

530mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET für Kfz, 20 V (D-S), 175 °C.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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