Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 850 mA 1.5 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 188-5029
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5029
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 850mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 530mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 850mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 530mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifacher N-Kanal-MOSFET für Kfz, 20 V (D-S), 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
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