Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 27 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5049
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 210-5049
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.79V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27W | ||
Durchlassspannung Vf 0.79V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der zweifache N-Kanal-MOSFET Vishay Automotive 40 V (D-S) 175 °C hat das Gehäuse PowerPAK SO-8L.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
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