Vishay SiHA125N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 179 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 204-7242
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.6.626 | CHF.33.14 |
| 25 - 45 | CHF.5.964 | CHF.29.82 |
| 50 - 120 | CHF.5.303 | CHF.26.50 |
| 125 - 245 | CHF.4.841 | CHF.24.18 |
| 250 + | CHF.4.179 | CHF.20.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7242
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SiHA125N60EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 28.1mm | |
| Breite | 9.7 mm | |
| Höhe | 4.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SiHA125N60EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 28.1mm | ||
Breite 9.7 mm | ||
Höhe 4.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.
Lawinenenergie (UIS)
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
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