STMicroelectronics STN6N60M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 204-9958
- Herst. Teile-Nr.:
- STN6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 204-9958
- Herst. Teile-Nr.:
- STN6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Breite | 6.48 mm | |
| Länge | 6.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Breite 6.48 mm | ||
Länge 6.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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