STMicroelectronics STN6N60M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 204-9959
- Herst. Teile-Nr.:
- STN6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 25 - 225 | CHF 0.606 | CHF 15.15 |
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- RS Best.-Nr.:
- 204-9959
- Herst. Teile-Nr.:
- STN6N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.8mm | |
| Breite | 6.48mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.8mm | ||
Breite 6.48mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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