STMicroelectronics STN6N60M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
STN6N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

STN6N60M2

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.8mm

Höhe

1.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.

Sehr geringe Gate-Ladung

Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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