onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 179 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
205-2449
Herst. Teile-Nr.:
NTBG080N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Durchlassspannung Vf

3.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

This Device is Pb-Free and is RoHS

Höhe

4.3mm

Breite

9.7 mm

Länge

15.1mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Niedriger Einschaltwiderstand, Typ 80 MOhm

Hohe Abzweigtemperatur

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität

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