DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 206-0063
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMC3401 | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.15mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMC3401 | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.15mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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