DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 206-0062
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.061 | CHF.172.71 |
| 9000 - 21000 | CHF.0.061 | CHF.166.65 |
| 24000 - 42000 | CHF.0.051 | CHF.163.62 |
| 45000 + | CHF.0.051 | CHF.160.59 |
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- 206-0062
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMC3401 | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMC3401 | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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