Teile-Nr.

DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US DMN33D8LDWQ-7

RS Best.-Nr.:: 222-2840
Herst. Teile-Nr.:: DMN33D8LDWQ-7
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US DMN33D8LDWQ-7

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 225	CHF.0.116	CHF.2.86
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RS Best.-Nr.:: 222-2840
Herst. Teile-Nr.:: DMN33D8LDWQ-7
Marke:: DiodesZetex

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	250mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	US
	Serie	DMN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.55nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	0.35W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Länge	2.15mm
	Normen/Zulassungen	J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS
	Höhe	0.95mm
	Breite	1.3 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße US
	Serie DMN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.55nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 0.35W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Länge 2.15mm
	Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS
	Höhe 0.95mm
	Breite 1.3 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - DMN33D8LDWQ-7

Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschützt

DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US DMN33D8LDWQ-7

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