DiodesZetex Doppelt DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 222-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN33D8LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2840
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.55nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.55nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschützt
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