DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.7.075
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.283 | CHF.7.05 |
| 50 - 75 | CHF.0.273 | CHF.6.89 |
| 100 - 225 | CHF.0.141 | CHF.3.56 |
| 250 - 975 | CHF.0.141 | CHF.3.49 |
| 1000 + | CHF.0.121 | CHF.3.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.035Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.035Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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