DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26 DMN2053UVTQ-7
- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.294 | CHF.7.33 |
| 50 - 75 | CHF.0.284 | CHF.7.16 |
| 100 - 225 | CHF.0.147 | CHF.3.70 |
| 250 - 975 | CHF.0.147 | CHF.3.62 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.035Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.035Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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